在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，一項(xiàng)重大創(chuàng)新近日由國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅單晶襯底材料制造商天岳先進(jìn)宣布。該公司在Semicon Europe 2024展覽會(huì)上，于德國(guó)慕尼黑展示了業(yè)界首款300mm N型碳化硅襯底。
天岳先進(jìn)指出，隨著全球范圍內(nèi)新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、5G通訊以及高壓智能電網(wǎng)等行業(yè)的蓬勃發(fā)展，對(duì)能夠承受高功率、高電壓及高頻率工作環(huán)境的碳化硅基器件的需求呈現(xiàn)出爆炸式增長(zhǎng)。這一趨勢(shì)對(duì)碳化硅材料的質(zhì)量和產(chǎn)量提出了更高的要求。
此次發(fā)布的300mm碳化硅襯底，意味著在單片晶圓上可用于芯片制造的面積將顯著擴(kuò)大，從而極大地提升了合格芯片的產(chǎn)量。在相同的生產(chǎn)條件下，這種大尺寸襯底不僅能夠提高生產(chǎn)效率，還能有效降低單位成本，為碳化硅材料的廣泛應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
天岳先進(jìn)自2010年成立以來，一直致力于碳化硅和氮化鎵材料的研發(fā)與生產(chǎn)。其產(chǎn)品涵蓋了4H導(dǎo)電型碳化硅單晶襯底和4H半絕緣型碳化硅單晶襯底，前者用于碳化硅外延層生長(zhǎng)，后者則用于氮化鎵外延層生長(zhǎng)。目前，天岳先進(jìn)已經(jīng)能夠提供6英寸和8英寸的導(dǎo)電型襯底，以及4英寸和6英寸的半絕緣型襯底。
此次300mm N型碳化硅襯底的發(fā)布，標(biāo)志著天岳先進(jìn)在碳化硅材料領(lǐng)域取得了重大突破，不僅滿足了市場(chǎng)對(duì)高性能碳化硅基器件的迫切需求，也為未來的半導(dǎo)體材料發(fā)展開辟了新的道路。
