近日，大日本印刷（DNP）公司宣布了一項重要技術突破，成功在其生產的光掩模上繪制出支持2納米及以下極紫外（EUV）工藝的精細圖案。這一成果標志著DNP在半導體制造領域的技術實力達到了新的高度。
據悉，DNP在本月早些時候正式對外公布了這一消息。在現代光刻工藝中，光掩模扮演著至關重要的角色，它是將設計好的電路圖案轉移到晶圓上的關鍵工具。此次DNP所繪制的精細圖案，不僅在線條尺寸上實現了顯著縮小，還在復雜度更高的曲線圖案上實現了同比例的尺寸壓縮，這為生產更高效、更先進的邏輯芯片提供了有力支持。
DNP的光掩模技術進展并非一蹴而就。早在2023年，該公司就已經成功開發出了適用于3納米工藝的光掩模。而此次為了滿足2納米及以下工藝的需求，DNP在技術上進行了全面升級，不僅在直線圖案尺寸上較3納米世代產品縮小了20%，還在曲線圖案的復雜度上實現了更高的技術要求。
通過對比圖可以看出，DNP此次繪制的精細圖案在直線和曲線方面都展現了極高的精度。直線的邊緣更加平滑，曲線的輪廓也更加清晰，這為后續的曝光和芯片制造提供了更加可靠的保障。
DNP表示，此次成功繪制精細圖案，意味著其光掩模產品已經滿足了2納米及以下名義制程邏輯半導體的生產需求。這一成果不僅為DNP在半導體制造領域樹立了新的里程碑，也為全球半導體產業的發展注入了新的動力。
DNP還完成了支持High NA EUV光刻的光掩模的初步評估，并已向生態合作伙伴出樣。這一舉措將進一步推動High NA EUV光刻技術的發展，為半導體產業帶來更加先進的制造技術和更高的生產效率。
DNP還透露了其未來的量產計劃。該公司計劃于2027財年（起始于同自然年4月）實現2納米光掩模的量產。考慮到DNP與Rapidus的合作關系，這一新品預計將用于Rapidus計劃于2025年4月啟動的2納米試產線。這一合作將進一步鞏固DNP在半導體制造領域的領先地位，并為全球半導體產業的發展做出更大的貢獻。
