三星電子正積極籌備其DRAM技術的下一代革新，據最新消息顯示，該公司已在第六代DRAM尚未實現量產之際，率先啟動了第七條生產線——1d DRAM的測試線建設。這一被稱為“單路徑線”的測試設施預計將于2025年第一季度全面竣工，旨在提升產品良率，并進一步拉大與業界競爭者的技術距離。
位于平澤的P2工廠內，這條測試線將承擔起評估新半導體產品量產可行性的重任。一旦研發階段的下一代芯片定型，該測試線將引入晶圓，著手提升量產良率，為正式投產打下堅實基礎。
盡管平澤10納米級第七代DRAM廠房的具體規模尚未公開，但一般而言，此類測試線每月可處理大約一萬片晶圓，其產能不容小覷。三星方面已明確表示，計劃在2026年前實現第七代DRAM的量產，而第六代DRAM（1c）則預計將于2025年投產。這意味著，第七代DRAM的測試線建設與第六代的量產準備工作正同步推進，展現了三星在DRAM技術領域的前瞻布局。
業內專家指出，三星此舉意在通過提前布局第七代DRAM生產線，為明年重振市場優勢奠定堅實基礎。近年來，三星在HBM市場上的領先地位被SK海力士所取代，同時，在10納米級第六代內存的開發速度上也落后于競爭對手。為了重新奪回行業領導地位，三星不得不加快產品開發的步伐，通過技術創新和提前布局來搶占市場先機。
