三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了引人矚目的技術(shù)進展。據(jù)韓媒The Elec最新報道，這家科技巨頭在光刻工藝上實現(xiàn)了重大革新，成功將光刻膠（PR）的使用量減半。
報道指出，在以往的3D NAND閃存生產(chǎn)過程中，每層涂層需要消耗7至8cc的光刻膠。然而，三星電子通過精密調(diào)控涂布機的旋轉(zhuǎn)速度，并對PR涂層后的蝕刻工藝進行了優(yōu)化，現(xiàn)在每層涂層僅需4至4.5cc的光刻膠。這一改進不僅大幅降低了材料成本，還有望提升生產(chǎn)效率。
更為關(guān)鍵的是，三星電子引入了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠技術(shù)。傳統(tǒng)的光刻工藝中，每次只能形成一層涂層。而采用更厚的光刻膠后，三星電子能夠一次性形成多層涂層，從而顯著提高了工藝效率。然而，更厚的光刻膠也帶來了新的挑戰(zhàn)，其高粘度特性在涂層過程中可能導(dǎo)致均勻性問題。為了克服這一難題，三星電子與其長期合作伙伴東進半導(dǎo)體化學(xué)公司展開了緊密合作。
自2013年以來，東進半導(dǎo)體化學(xué)公司一直是三星電子KrF光刻膠的獨家供應(yīng)商，為三星的第7代（11微米）和第8代（14微米）3D NAND產(chǎn)品提供了關(guān)鍵材料支持。據(jù)透露，從第9代3D NAND產(chǎn)品開始，三星電子將全面應(yīng)用這項新技術(shù)。這一創(chuàng)新舉措預(yù)計將為三星電子節(jié)省每年數(shù)十億韓元的成本。
然而，這一技術(shù)革新也給東進半導(dǎo)體化學(xué)公司帶來了新的挑戰(zhàn)。作為三星電子的重要供應(yīng)商，東進半導(dǎo)體每年從光刻膠業(yè)務(wù)中獲得約2500億韓元的收入，其中60%來自三星電子。隨著三星電子采用新技術(shù)減少光刻膠的使用量，東進半導(dǎo)體可能會面臨來自三星的訂單減少。這無疑將對該公司的業(yè)務(wù)產(chǎn)生一定影響。
