波蘭知名存儲模組品牌Goodram，通過其旗下子品牌IRDM，宣布推出一款全新的固態硬盤——IRDM PRO GEN 5。這款固態硬盤以其對PCIe 5.0規范的支持而備受矚目。
IRDM PRO GEN 5固態硬盤采用M.2 2280的外形規格，并符合最新的NVMe 2.0標準。它基于高效的群聯PS5026-E26主控，并配備了未公布具體型號的3D TLC NAND閃存技術。該固態硬盤還通過外置DRAM緩存來進一步提升性能，提供1TB、2TB和4TB三種不同的存儲容量選項，以滿足不同用戶的需求。
在性能方面，IRDM PRO GEN 5展現出令人印象深刻的實力。根據官方數據，該固態硬盤的順序讀取速度可達11500至12000MB/s，而順序寫入速度則介于9000至11000MB/s之間。同時，其隨機讀取和寫入性能也相當出色，分別可達130K至140K IOPS和穩定的140K IOPS。這些性能指標不僅證明了IRDM PRO GEN 5在高速數據傳輸方面的優勢，還顯示出它在處理大量隨機讀寫請求時的卓越能力。
盡管IRDM PRO GEN 5并非全速PCIe 5.0×4 SSD，但其性能仍然達到了12GB/s的級別，相較于PCIe 4.0固態硬盤，在隨機性能方面提升了約40%。這一顯著提升將為專業用戶和高性能計算環境帶來更為流暢和高效的存儲體驗。
為了確保固態硬盤的穩定運行和持久耐用，Goodram為IRDM PRO GEN 5提供了長達5年的質保服務。該產品還采用了創新的Graphreeze冷卻技術，通過在核心芯片上覆蓋由雙層石墨烯涂層構成的超薄散熱片，有效提升了散熱性能。這種設計不僅保證了固態硬盤在高負載運行時的穩定性，還與外部散熱器完全兼容，進一步增強了散熱效果。
