英特爾在2024年IEEE國際電子器件會議（IEDM 2024）上展示了其在代工技術領域的多項創新突破，為半導體行業的發展注入了新的活力。
會上，英特爾重點介紹了其在新材料應用方面的進展，特別是減成法釕互連技術。這項技術的實施，使得線間電容得以顯著降低，最高降幅達到25%，從而有效提升了芯片內部互連的性能。
除了新材料技術，英特爾還展示了一種名為選擇性層轉移（SLT）的異構集成解決方案，該方案在先進封裝領域具有顯著優勢。SLT技術能夠大幅提升封裝過程的吞吐量，最高可達100倍，為實現超快速的芯片間組裝提供了新的可能。
在晶體管微縮技術方面，英特爾同樣取得了顯著進展。公司展示了硅基RibbionFET CMOS技術，以及針對2D場效應晶體管（2D FETs）的柵氧化層模塊。這些技術的突破，將進一步推動全環繞柵極（GAA）技術的微縮，從而提升設備的整體性能。
在IEDM 2024上，英特爾還分享了其對未來先進封裝和晶體管微縮技術的愿景。為了滿足包括人工智能（AI）在內的各類應用需求，英特爾強調了三個關鍵點：先進內存集成、混合鍵合優化互連帶寬以及模塊化系統及其連接解決方案。這些技術將共同推動AI在未來十年朝著更高能效的方向發展。
其中，先進內存集成旨在消除容量、帶寬和延遲的瓶頸，為AI應用提供更加高效的數據處理能力。混合鍵合技術則通過優化互連帶寬，進一步提升了系統的整體性能。而模塊化系統及其連接解決方案，則為構建更加靈活、可擴展的系統架構提供了新的思路。
