近日，韓國媒體ETNews報道了一項來自三星電子的重大技術(shù)突破。據(jù)悉，三星在DRAM內(nèi)存制造領(lǐng)域成功引入了干式光刻膠（Dry PR）技術(shù)，并將此技術(shù)應(yīng)用于其即將推出的第六代10納米級工藝（1c nm）中。
報道指出，三星電子已經(jīng)完成了干式光刻膠涂覆和顯影等關(guān)鍵工序所需的設(shè)備配置，這些設(shè)備均由泛林集團(tuán)（Lam Research）提供。這一技術(shù)革新標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體制造工藝上邁出了重要一步。
干式光刻膠技術(shù)與傳統(tǒng)的濕式光刻膠存在顯著差異。傳統(tǒng)濕式光刻膠使用溶液旋涂方式，并在后續(xù)過程中需要溶劑沖洗，而干式光刻膠則是直接沉積到晶圓表面。這一改變有效避免了光刻膠去除過程中因液體表面張力導(dǎo)致的圖案完整性問題，從而提升了制造精度。
干式光刻膠還具備更高的曝光效率，能夠?qū)崿F(xiàn)更為精細(xì)的線寬，這對于半導(dǎo)體器件的性能提升具有重要意義。三星電子計劃將這一技術(shù)應(yīng)用于其HBM4產(chǎn)品中，通過提升圖案質(zhì)量來增強(qiáng)HBM4堆棧的信號完整性和可靠性。
值得注意的是，泛林集團(tuán)在今年早些時候已經(jīng)宣布，其干式光刻膠技術(shù)已被一家領(lǐng)先的存儲器制造商在最先進(jìn)的DRAM工藝中采用。如今，三星電子的加入進(jìn)一步證明了干式光刻膠技術(shù)在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的廣闊前景。
