三星電子正醞釀著一項新的技術戰略，旨在通過引入常規結構的第8代10納米級DRAM制程，進一步夯實其在內存開發領域的領先地位。這項計劃不僅是為了技術儲備，更是為未來潛在的商業化鋪路。
原本，三星計劃在2026年第四季度量產基于4F2VCT創新結構的0a納米級內存，但最新消息顯示，這一計劃已被推遲至2028年。據悉，若4F2VCT DRAM最終實現商業化，相關的新技術和設備投入將至少延續到2029年。這一變動無疑給市場帶來了新的期待與猜測。
據內部消息透露，三星近年來在非主要產品技術開發上的投入曾一度不足，尤其是在HBM開發團隊規模縮減后，未能及時搶占市場先機。然而，這一情況如今已有了顯著改善。三星開始更加重視“備選技術”的發展，如1e納米級DRAM等，這些努力被視為是對過去戰略失誤的反思與調整。
4F2VCT DRAM技術的亮點在于其DRAM單元的小型化以及垂直空間的高效利用。然而，這一優勢的背后，是生產流程中大量新技術和新設備的引入，這無疑將增加資本支出和生產成本。盡管如此，三星仍堅持推進這一技術，足見其對未來內存市場的雄心。
值得注意的是，三星內部對非主要產品技術開發的重視程度提升，或許與其對核心競爭力的重新審視有關。隨著市場競爭的日益激烈，三星愈發認識到自己在內存領域的優勢所在，并著手加強相關技術的研發與儲備。
這一系列舉措不僅展示了三星在技術創新上的決心，也為其在內存市場的未來發展奠定了堅實基礎。隨著新技術的不斷涌現和市場的不斷變化，三星能否憑借這些努力在激烈的市場競爭中脫穎而出，我們將拭目以待。
