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          聯(lián)發(fā)科搶跑2nm芯片賽道,天璣9600明年下半年亮相

             發(fā)布時間:2025-05-20 16:44 作者:楊凌霄

          在半導體技術的激烈競爭中,2nm制程技術的爭奪戰(zhàn)已悄然拉開序幕,而蘋果、高通與聯(lián)發(fā)科這三大行業(yè)巨頭正蓄勢待發(fā)。值得注意的是,聯(lián)發(fā)科在這場技術競賽中展現(xiàn)出了更為迅速的步伐。

          聯(lián)發(fā)科的首席執(zhí)行官蔡力行,在近期于COMPUTEX上所做的主題演講中透露,過去的十年間,聯(lián)發(fā)科芯片已廣泛應用于全球超過200億臺設備中,這意味著全球平均每人都擁有2.5臺搭載聯(lián)發(fā)科芯片的設備。這一數(shù)據(jù)不僅彰顯了聯(lián)發(fā)科的市場占有率,也體現(xiàn)了其在半導體行業(yè)的深厚底蘊。

          蔡力行還帶來了一則令人振奮的消息:聯(lián)發(fā)科計劃在今年9月正式啟動2nm產(chǎn)品的流片階段。相較于當前的3nm制程技術,2nm制程將帶來15%的性能提升,同時功耗將降低25%。這一技術突破無疑將為聯(lián)發(fā)科在未來的市場競爭中增添更多的籌碼。

          據(jù)相關爆料,聯(lián)發(fā)科將于今年9月發(fā)布的天璣9500芯片將繼續(xù)采用臺積電的3nm制程技術,而明年下半年即將推出的天璣9600則將率先采用臺積電全新的2nm工藝。這將標志著聯(lián)發(fā)科正式邁入2nm時代,成為首批推出2nm芯片的廠商之一。

          臺積電2nm制程技術的核心在于其采用的全新GAAFET架構。相較于傳統(tǒng)的FinFET架構,GAAFET架構中的每個晶體管都被柵極材料完全包裹,這一創(chuàng)新設計不僅大幅提升了晶體管的密度,還有效降低了漏電現(xiàn)象,從而顯著降低了功耗。這一技術突破無疑將為未來的芯片性能帶來質的飛躍。

          然而,伴隨著2nm技術的到來,其成本也相應攀升。據(jù)消息透露,臺積電2nm晶圓的成本將比之前高出10%。這一成本上升無疑將對終端產(chǎn)品的價格產(chǎn)生影響,預計未來的旗艦產(chǎn)品將掀起新一輪的漲價潮。

           
           
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