分析機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢近日披露，全球三大HBM內(nèi)存制造商已決定在HBM5 20hi世代采納混合鍵合Hybrid Bonding技術(shù)。此項(xiàng)技術(shù)革新旨在應(yīng)對(duì)堆疊高度、I/O密度及散熱等多方面挑戰(zhàn)。
據(jù)悉，SK海力士、三星電子及美光科技在HBM4與HBM4e兩代產(chǎn)品中將分別推出12hi和16hi版本，以滿足市場(chǎng)對(duì)不同容量的需求。其中，12hi版本將繼續(xù)沿用現(xiàn)有的微凸塊鍵合技術(shù)，而16hi版本的技術(shù)路徑則尚待確認(rèn)。
英偉達(dá)未來(lái)的AI GPU預(yù)計(jì)將采用與HBM5內(nèi)存3D堆疊的集成方式，而非現(xiàn)行的2.5D方式，這一變化預(yù)示著內(nèi)存技術(shù)的新趨勢(shì)。
混合鍵合技術(shù)因其無(wú)凸塊設(shè)計(jì)，不僅可容納更多堆疊層數(shù)和更厚的晶粒，從而改善芯片翹曲問(wèn)題，還能顯著提升傳輸速度和散熱性能。然而，該技術(shù)仍面臨微粒控制等挑戰(zhàn)。
對(duì)于HBM4(e)16hi產(chǎn)品是否采用混合鍵合技術(shù)，制造商面臨兩難選擇：一方面，提前引入新技術(shù)可加速學(xué)習(xí)曲線并確保HBM5 20Hi的順利量產(chǎn)；另一方面，這也意味著需要額外的設(shè)備投資，并可能犧牲在微凸塊鍵合技術(shù)上的部分優(yōu)勢(shì)。
混合鍵合的晶圓對(duì)晶圓（WoW）堆疊模式對(duì)生產(chǎn)良率提出了更高要求，并可能導(dǎo)致DRAM芯片尺寸與底部Base Die相同，這一變化可能使臺(tái)積電等具備先進(jìn)Base Die生產(chǎn)與WoW堆疊能力的企業(yè)在HBM生產(chǎn)中扮演更重要角色，進(jìn)而改變整個(gè)HBM加先進(jìn)封裝的商業(yè)模式。
