近日，有消息人士對外透露，三星電子已經(jīng)成功獲得英偉達對其最新一代高帶寬存儲芯片的供應(yīng)授權(quán)，該芯片屬于三星電子的第五代HBM3E系列的一個特定版本。
據(jù)了解，三星電子的這款8層HBM3E芯片（屬于HBM3E系列中的基礎(chǔ)型號）在去年的12月份就已經(jīng)通過了英偉達的審核。然而，對于這一消息，三星和英偉達雙方均未發(fā)表任何評論。
HBM（High Bandwidth Memory），即高帶寬內(nèi)存，是一種專門設(shè)計用于滿足高性能計算需求的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。相較于傳統(tǒng)的內(nèi)存技術(shù)，HBM能夠提供更高的數(shù)據(jù)傳輸速度和更低的延遲，因此在高性能計算領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。
而HBM3E則是HBM技術(shù)的最新標(biāo)準(zhǔn)，它能夠滿足如人工智能、機器學(xué)習(xí)等前沿技術(shù)領(lǐng)域?qū)τ诖髷?shù)據(jù)處理能力的極高要求。這些領(lǐng)域的發(fā)展對于計算能力和內(nèi)存帶寬的需求日益增長，而HBM3E正是為此而生。
作為全球領(lǐng)先的AI和深度學(xué)習(xí)技術(shù)供應(yīng)商，英偉達與三星電子的此次合作無疑將進一步提升雙方的技術(shù)實力和市場競爭力。通過英偉達的計算平臺與三星電子的存儲技術(shù)的結(jié)合，雙方有望共同打破計算能力的瓶頸，推動AI技術(shù)的快速發(fā)展。
此次合作對于三星電子來說，無疑是一個重要的市場機遇。據(jù)市場研究顯示，全球人工智能芯片市場在未來幾年內(nèi)將以年均超過20%的速度增長。英偉達對三星電子HBM3E芯片的認可，將為三星電子打開更加廣闊的市場空間，使其在高性能計算市場中占據(jù)更加重要的地位。
