近期，存儲行業(yè)的競爭愈發(fā)激烈，促使NAND技術(shù)不斷取得突破。據(jù)韓媒ZDNet的最新報道，三星可能將在其下一代NAND閃存技術(shù)中，采用中國長江存儲的混合鍵合專利。
據(jù)悉，三星計劃于2025年下半年啟動大規(guī)模生產(chǎn)其V10（第10代）NAND閃存。這款新型NAND預(yù)計將達(dá)到約420至430層的堆疊高度，標(biāo)志著技術(shù)上的又一次飛躍。
報道進(jìn)一步指出，三星與SK海力士正在與長江存儲就一項專利協(xié)議進(jìn)行深入談判。這一消息無疑引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注，因為長江存儲在閃存技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新已經(jīng)取得了顯著成果。
長江存儲率先在閃存中引入了晶棧Xtacking技術(shù)，該技術(shù)通過獨立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路，為NAND閃存帶來了更高的I/O接口速度和更多的操作功能。這一創(chuàng)新加工方式的選擇，使得NAND閃存在性能上實現(xiàn)了顯著提升。
據(jù)知情人士透露，長江存儲在大約四年前就已經(jīng)在該領(lǐng)域建立了強大的專利組合。而三星之前采用的NAND生產(chǎn)技術(shù)為COP（Cell on Peripheral），即將外圍電路放置在一個晶圓上，單元堆疊在其上方。然而，隨著堆疊層數(shù)的不斷增加，特別是當(dāng)超過400層時，下層外圍電路所受的壓力增大，對可靠性造成了影響，因此急需尋找替代方案。
在混合鍵合專利方面，美國Xperi、長江存儲和臺積電占據(jù)了主導(dǎo)地位。三星認(rèn)為，在下一代NAND閃存如V10、V11和V12的生產(chǎn)中，很難繞過這些現(xiàn)有專利。因此，選擇與長江存儲進(jìn)行合作，成為了三星應(yīng)對技術(shù)挑戰(zhàn)的重要策略。
這一合作不僅體現(xiàn)了三星對長江存儲技術(shù)實力的認(rèn)可，也預(yù)示著存儲行業(yè)將迎來更加緊密的國際合作與技術(shù)交流。隨著NAND技術(shù)的不斷進(jìn)步，存儲行業(yè)的未來充滿了無限可能。
