近期，三星電子在國際固態電路會議IEEE ISSCC 2025上，通過韓媒SEDaily的現場采訪，向外界展示了其最新的HBM內存發展藍圖，并詳細闡述了即將推出的HBM4E內存的預期性能指標。
據三星電子透露，HBM4E相較于其前代HBM4，在技術上實現了兩大重要飛躍。首先，HBM4E引入了32Gb DRAM裸片，這一創新使得在16Hi堆疊配置下，單個堆棧的內存容量能夠擴展至64GB。其次，HBM4E將每引腳的傳輸速率提升至10Gbps，這一提升直接導致了HBM4E的整體帶寬相較于HBM4提高了25%。
在應用層面，HBM4E內存的潛力同樣引人注目。據業內消息，英偉達計劃在2027年推出的Rubin Ultra AI GPU，將支持采用HBM4E內存。這款GPU將支持多達12個HBM4 (E) 堆棧，如果全部采用HBM4E堆棧，那么單個加速器的內存容量將可能達到前所未有的768GB，這對于處理大規模數據和復雜計算任務來說，無疑是一個巨大的優勢。
三星電子的這一舉措，不僅展示了其在內存技術領域的領先地位，也預示著未來高性能計算和人工智能領域將迎來更為強大的硬件支持。隨著HBM4E內存的逐步普及，我們有望看到更多高性能、大容量的計算設備問世，為科技進步和社會發展提供強有力的支持。
