在近日舉辦的晶圓代工業務盛會上，Intel揭開了其工藝制程路線圖的最新篇章，并分享了代工業務的最新動態。據Intel公布的數據，自2021年宣布“四年五個工藝節點”戰略以來，至2024年的四年間，Intel在全球范圍內投資了高達900億美元。
在這筆龐大的投資中，約180億美元被用于技術研發，旨在推動技術創新與突破；而370億美元則流向了晶圓廠設備，以確保生產線的先進性和高效性。
Intel透露，其18A制程節點已進入風險試產的關鍵階段，并有望在年內實現量產。而更令人期待的是，18A之后的下一代14A工藝制程，預計將在2027年前后步入風險生產階段。14A工藝預計能帶來15%至20%的能效提升，并且芯片密度將增加1.3倍，已有多個客戶計劃流片測試14A芯片。
與18A采用的PowerVia背面供電技術不同，14A將引入PowerDirect直接觸點供電技術，這一變化有望進一步提升芯片的性能和能效。
Intel還揭曉了18A工藝的兩個衍生版本——18A-P和18A-PT。其中，18A-P以卓越性能為亮點，其早期試驗晶圓已開始生產，且與18A設計規則兼容。而18A-PT則是在18A-P的基礎上進一步演進，可通過先進的Foveros Direct 3D封裝技術與頂層芯片連接，實現混合鍵合互連間距小于5微米。Foveros Direct 3D封裝技術已被臺積電應用于生產中，消費者熟知的AMD 3D V-Cache產品便是其典型應用。
在成熟節點方面，Intel代工的首批基于16納米制程的產品已正式進入晶圓廠生產流程。同時，Intel還在與主要客戶洽談合作開發12納米節點及其演進版本的事宜，這一合作由UMC共同參與。
