近期，三星電子在NAND Flash閃存技術領域取得了重大突破，成功研發出400層堆疊技術，并正緊鑼密鼓地推進該技術向大規模生產的轉移。這一消息無疑為全球存儲市場注入了新的活力。
據悉，三星此次的400層堆疊NAND Flash閃存技術，不僅在層數上實現了飛躍，更在性能與容量上帶來了顯著提升。此前，SK海力士已宣布量產321層NAND Flash，而三星的此番突破，無疑將這一領域的競爭推向了新的高度。
三星計劃在2025年舉辦的國際固態電路會議（ISSCC）上，詳細展示其1Tb容量的400層堆疊TLC NAND Flash閃存。同時，公司預計在2025年下半年正式開啟該產品的量產。市場專家分析認為，若一切順利，量產時間有可能會提前至2025年第二季度末。
不僅如此，三星在先進內存產品線上的布局也頗為引人關注。公司在平澤園區新建了第9代（286層堆疊）NAND Flash閃存生產設施，該設施月產能將達到30000至40000片晶圓。位于中國西安的工廠也將迎來升級，原有的128層堆疊（V6）NAND Flash閃存生產線將轉換為236層堆疊（V8）NAND Flash閃存產品制程。
在全球NAND Flash閃存市場中，三星一直占據著舉足輕重的地位，其市占率高達36.9%。面對SK海力士等競爭對手的強勁勢頭，三星此次的技術突破無疑為其在全球市場的競爭中增添了更多籌碼。
三星此次在NAND Flash閃存技術上的突破，不僅展示了其在存儲技術領域的深厚積累，更為全球存儲市場的發展注入了新的活力。隨著技術的不斷升級和產量的逐步提升，三星有望在全球NAND Flash閃存市場中占據更加重要的地位。
